特許

J-GLOBAL ID：201103084531923432

In-Ga-Zn系酸化物スパッタリングターゲット

発明者： 矢野 公規 ,  糸瀬 将之 ,  西村 麻美
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-264085
公開番号（公開出願番号）：特開2011-106002
出願日： 2009年11月19日
公開日（公表日）： 2011年06月02日
要約：

【課題】相対密度が高く、抵抗が低く、均一で、良好な酸化物半導体や透明導電膜等の酸化物薄膜を作製しうるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】下記に示す酸化物Aと、ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム(In2O3)と、を含有するスパッタリングターゲット。 酸化物A:インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、及び亜鉛元素(Zn)を含み、X線回折測定(Cukα線)により、入射角(2θ)が、7.0°〜8.4°、30.6°〜32.0°、33.8°〜35.8°、53.5°〜56.5°及び56.5°〜59.5°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

下記に示す酸化物Aと、 ビックスバイト型の結晶構造を有する酸化インジウム(In2O3)と、を含有するスパッタリングターゲット。 酸化物A:インジウム元素(In)、ガリウム元素(Ga)、及び亜鉛元素(Zn)を含み、X線回折測定(Cukα線)により、入射角(2θ)が、7.0°〜8.4°、30.6°〜32.0°、33.8°〜35.8°、53.5°〜56.5°及び56.5°〜59.5°の各位置に回折ピークが観測される酸化物。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  H01B 5/14

FI (3件)：

C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  H01B5/14 A

Fターム (28件)：

4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA01 ,  4G030GA03 ,  4G030GA05 ,  4G030GA22 ,  4G030GA24 ,  4G030GA27 ,  4K029AA06 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA45 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029GA01 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC10

引用特許：

出願人引用 (4件)

• In-Ga-Zn-Sn系酸化物焼結体、及び物理成膜用ターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-126525   出願人：出光興産株式会社
• スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-000418   出願人：出光興産株式会社
• スパッタリングターゲット及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-000417   出願人：出光興産株式会社
• スパッタリングターゲット、透明導電膜およびそれらの製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-161207   出願人：出光興産株式会社

引用文献：

出願人引用 (2件)

• Structural and electronic properties of crystalline InGaO3(ZnO)m
• Electrical and Optical Properties of Transparent Conducting Homologous Compounds in the Indium-Galli