特許
J-GLOBAL ID：200903097024860239

スパッタリングターゲット及びその製造方法

発明者：
井上 一吉

井上 一吉 について

, 
宇都野 太

宇都野 太 について

, 
矢野 公規

矢野 公規 について


出願人/特許権者：
出光興産株式会社

出光興産株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 喜平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-000417
公開番号（公開出願番号）：特開2008-163441
出願日： 2007年01月05日
公開日（公表日）： 2008年07月17日
要約：
【課題】IGZOスパッタリングターゲットの有する特性を保持したまま、バルク抵抗が低く、密度が高く、粒径がより均一で微細化した組織を持ち、抗折強度が高いスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】インジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、InGaO3(ZnO)m(mは1〜20の整数)で表されるホモロガス構造化合物及びZnGa2O4で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
インジウム(In)、ガリウム(Ga)及び亜鉛(Zn)の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、 InGaO3(ZnO)m(mは1〜20の整数)で表されるホモロガス構造化合物及びZnGa2O4で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  C04B 35/453
FI (3件)：
C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  C04B35/00 P
Fターム (11件)：
4G030AA32 ,  4G030AA34 ,  4G030BA01 ,  4G030HA12 ,  4G030HA25 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34
引用特許：
出願人引用 (19件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM