特許
J-GLOBAL ID：201103085259130459

半導体薄膜製造装置

発明者：
高岡 洋道

高岡 洋道 について

, 
明石 友行

明石 友行 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について

, 
住友重機械工業株式会社

住友重機械工業株式会社 について


代理人 (1件)： 池田 憲保
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230034
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053021
特許番号：特許第3751772号
出願日： 1999年08月16日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】光学系を通ったレーザ光をマスクに照射し、該マスクに形成した開口パターンに応じた上記レーザ光を半導体薄膜に照射し上記半導体薄膜を改質する半導体薄膜製造装置において、 上記マスク表面の上記レーザ光に対する反射率が70%以上であり、 上記光学系と上記マスクとの間の上記レーザ光の光路中に置かれた、上記レーザ光を吸収する吸収基板を有し、 上記マスクは、上記レーザ光を透過する透過基板と該透過基板上に形成され上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属膜とからなり該金属膜に前記開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光に対する反射率が70%以上である金属基板からなり該金属基板に開口パターンが形成されたものであり、 上記吸収基板は、上記レーザ光を吸収する物質からなる基板に開口パターンが形成されたもの、或いは、上記レーザ光を吸収する物質を上記レーザ光を透過する基板に堆積させたものに対し開口パターンが形成されたものであり、 上記吸収基板の開口パターンは、上記マスクの開口パターンよりも大きいことを特徴とする半導体薄膜製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/268 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (3件)：
H01L 21/268 J ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 627 G
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • 特開昭57-181537
  • レーザ加工装置及び加工用マスク
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-271429   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立コンピュータエレクトロニクス
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-283981   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
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