特許
J-GLOBAL ID:201103085393764359

半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 伊東 忠彦
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-536861
特許番号:特許第4091838号
出願日: 2001年03月30日
請求項(抜粋):
【請求項1】 第1機能を備えた第1の半導体チップと、第2機能を備えた第2の半導体チップとを、ひとつのパッケージに封止した構成の半導体装置において、 前記第1の半導体チップは、第1の機能チップと、第2の機能チップと、前記第1の機能チップと前記第2の機能チップとの間に形成された切断されていないスクライブラインと、前記スクライブラインの近傍に形成され前記第1の半導体チップへの水分の浸入を防止するガイドリングとを有し、 前記第1の機能チップと前記第2の機能チップは一体化されており、 前記スクライブラインは、前記第1の半導体チップ上に形成された絶縁膜に溝形成された構成であり、 かつ、前記スクライブラインの形成位置において、前記第1の半導体チップの表面が露出した構成とした半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/065 ( 200 6.01) ,  H01L 25/07 ( 200 6.01) ,  H01L 25/18 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 25/08 Z
引用特許:
出願人引用 (7件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-018121   出願人:株式会社三井ハイテック
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-232357   出願人:日本電気株式会社
  • 特開昭60-018934
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審査官引用 (7件)
  • 半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-018121   出願人:株式会社三井ハイテック
  • メモリモジュールおよびメモリシステム
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-235362   出願人:株式会社ティ・アイ・エフ
  • 積層基板体および半導体装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-333376   出願人:ローム株式会社
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