特許
J-GLOBAL ID：201103086135821271

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
中野 佑紀

中野 佑紀 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (2件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-152084
公開番号（公開出願番号）：特開2011-044688
出願日： 2010年07月02日
公開日（公表日）： 2011年03月03日
要約：
【課題】製造コストの増加を抑制しつつ、SiC基板の一方面に直接接合されるメタル層の接続信頼性を向上でき、さらにはSiC基板に対するメタル層のオーミック接合を確保することのできる半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】SiC基板2を有する半導体装置1において、SiC基板2の裏面22側の表層部分に、表面21側の表層部分よりもカーボンが高濃度に含まれる高カーボン濃度SiC層3を形成する。そして、その高カーボン濃度SiC層3の表面にドレイン電極17を直接接合する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
SiCからなる半導体層と、 前記半導体層の一方面に直接接合されたメタル層とを含み、 前記半導体層の一方側の表層部分には、他方側の表層部分よりもカーボンが高濃度に含まれる高カーボン濃度層が形成されている、半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 21/28 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/06
FI (11件)：
H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/48 D ,  H01L21/28 A ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658A ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 652P
Fターム (18件)：
4M104AA03 ,  4M104BB01 ,  4M104BB05 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD21 ,  4M104DD34 ,  4M104DD37 ,  4M104DD43 ,  4M104FF01 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104HH08
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM