炭化珪素半導体装置及び炭化珪素半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (6件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-017710
公開番号（公開出願番号）：特開2007-201155
出願日： 2006年01月26日
公開日（公表日）： 2007年08月09日
要約：

【課題】裏面に極めて低抵抗なオーミック・コンタクトを有する炭化珪素半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第1の主表面(表面)の酸化速度が表面に対向する第2の主表面(裏面)の酸化速度より速い炭化珪素基板1と、表面側に配置された主要素子要素群(2、3、5、7、8)と、裏面にオーミック接触しているオーミック電極9とを備え、裏面は、製造工程において形成される、オーミック電極9との接触抵抗を増大させる抵抗増大層を含まない結晶面を形成していることである。抵抗増大層には、寄生エピ膜、結晶不整層、寄生固相反応層、及び汚染層が含まれる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の主表面の酸化速度が、当該第1の主表面に対向する第2の主表面の酸化速度より速い炭化珪素基板と、前記第1の主表面側に配置された主要素子要素群と、前記第2の主表面にオーミック接触しているオーミック電極とを備え、前記第2の主表面は、製造工程において形成される、前記オーミック電極との接触抵抗を増大させる抵抗増大層を含まない結晶面を形成していることを特徴とする炭化珪素半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 21/28 , H01L 29/80 , H01L 29/872 , H01L 29/47 , H01L 29/417 , H01L 29/78 , H01L 29/12 , H01L 21/336

FI (10件)：

H01L21/28 301B , H01L29/80 V , H01L29/48 D , H01L29/50 M , H01L29/48 P , H01L29/78 652T , H01L29/78 658E , H01L29/78 658G , H01L29/78 658F , H01L29/78 658A

Fターム (39件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD09 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD19 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD43 , 4M104DD55 , 4M104DD65 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104FF13 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG18 , 4M104HH15 , 5F102FA00 , 5F102FA03 , 5F102FB01 , 5F102GB04 , 5F102GJ01 , 5F102GJ02 , 5F102GR01 , 5F102HC01 , 5F102HC15 , 5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-177080 出願人：松下電器産業株式会社
半導体基板の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-277613 出願人：株式会社デンソー
半導体装置の製造方法およびそれにより製造される半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-359942 出願人：株式会社デンソー

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