特許
J-GLOBAL ID:201103087618825959

半田バンプ形成方法および半田バンプ接合構造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-247974
公開番号(公開出願番号):特開2003-059960
特許番号:特許第3872318号
出願日: 2001年08月17日
公開日(公表日): 2003年02月28日
請求項(抜粋):
【請求項1】ワークに形成された凹部の上にこの凹部の底の配線パターンに導通する半田バンプを形成する半田バンプ形成方法であって、前記凹部の底の配線パターン上に導電性金属粒子と熱硬化樹脂からなる導電性ペーストを塗布する工程と、加熱により前記塗布された導電性ペーストが硬化した導電樹脂層を前記凹部内に形成する工程と、前記導電樹脂層の表層部の樹脂をプラズマエッチングによって除去して前記導電性金属粒子が露出した凹凸面を形成する工程と、前記凹凸面上に半田を供給してリフローする工程とを含むことを特徴とする半田バンプ形成方法。
IPC (1件):
H01L 21/60 ( 200 6.01)
FI (1件):
H01L 21/60
引用特許:
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る