特許
J-GLOBAL ID：201103087657108717
反射防止膜形成用組成物及びレジストパターンの形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
服部 平八
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-265408
公開番号（公開出願番号）：特開2001-092122
特許番号：特許第4248098号
出願日： 1999年09月20日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】(A)(i)一般式化1
【化1】
Si(OR1)a(OR2)b(OR3)c(OR4)d
(式中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、a、b、c及びdは、0≦a≦4、0≦b≦4、0≦c≦4、0≦d≦4であって、かつa+b+c+d=4の条件を満たす整数である)
で表わされる化合物、
(ii)一般式化2
【化2】
R5Si(OR6)e(OR7)f(OR8)g
(式中、R5は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R6、R7及びR8はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、e、f及びgは、0≦e≦3、0≦f≦3、0≦g≦3であって、かつe+f+g=3の 条件を満たす整数である)
で表わされる化合物、
及び
(iii)一般式化3
【化3】
R9R10Si(OR11)h(OR12)i
(式中、R9及びR10は水素、炭素数1〜4のアルキル基又はフェニル基、R11及びR12はそれぞれ炭素数1〜3のアルキル基又はフェニル基、h及びiは、0≦h≦2、0≦i≦2であって、かつh+i=2の条件を満たす整数である)
で表わされる化合物
から選ばれる少なくとも1種の化合物、
(B)(A)成分と縮合し得る置換基をその構造中に有する少なくとも1種の水酸基及び/又はカルボキシル基の置換した、ビスフェニルスルホン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、アントラセン系化合物及びナフタレン系化合物から選ばれる高吸光性物質、
(C)酸触媒、
(D)有機溶媒
及び(E)水
を含有し、前記組成物の(A)成分及び(B)成分が、酸触媒の作用で加水分解され、かつアルコール含有量が15重量%以下に調整された塗布液であることを特徴とする反射防止膜形成用組成物。
IPC (2件)：
G03F 7/11 ( 200 6.01)
, H01L 21/027 ( 200 6.01)
G03F 7/11 503
, H01L 21/30 574
