電荷発生基板用バンプ形成装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：青山葆 , 和田充夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-184467
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210664
特許番号：特許第4570210号
出願日： 2000年06月20日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】温度変化に伴い電荷を発生する電荷発生基板(201、202)がバンプを形成するに必要なバンプボンディング用温度に加熱された状態にて、上記電荷発生基板上の回路に形成されている電極上に上記バンプを形成するバンプ形成ヘッド(120)を備えた電荷発生基板用バンプ形成装置であって、上記電荷発生基板を上記バンプボンディング用温度に加熱する前に上記バンプボンディング用温度付近まで上記電荷発生基板のプリヒート動作を行い、かつ上記プリヒート動作による温度上昇にて上記電荷発生基板に生じた電荷を上記電荷発生基板の回路形成面である表面(202a)に対向する裏面(202b)に接触して除去する加熱冷却装置と、上記プリヒート動作を行うための温度上昇制御を上記加熱冷却装置に対して行い、上記ボンディング後に上記電荷発生基板を冷却するための温度降下制御を上記加熱冷却装置に対して行う制御装置(180)と、を備えたことを特徴とする電荷発生基板用バンプ形成装置。

IPC (1件)：

H01L 21/60 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 21/92 604 J

引用特許：

審査官引用 (8件)

弾性表面波装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-163295 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-319313
特開昭55-087434

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