パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-199074
公開番号（公開出願番号）：特開2001-023971
特許番号：特許第3627137号
出願日： 1999年07月13日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ネガ型のシリル化プロセスを実現するパターン形成方法であって、化学増幅型のポジ型レジストに水酸基を有する所定量の化合物を含有するレジスト膜に対して所定のエネルギービームを照射して露光処理を実行して露光部を形成するとともに、当該露光部に対して前記レジストの酸不安定基の脱保護を実行する工程と、前記脱保護後のレジスト膜にシリル化を行って当該レジスト膜の露光部の表面にシリコンを導入するとともに、前記露光部の脱保護した部分の水酸基に対する前記シリル化を、前記水酸基を有する化合物を用いて増幅する工程と、前記シリコンを導入した露光部をマスクとして前記レジスト膜に対してドライエッチングを行って所望のレジストパターンを形成する工程とを有し、前記水酸基を有する化合物は、ビスフェノールAまたはピロガロールであることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (1件)：

H01L 21/302

FI (1件)：

H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (8件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-276003 出願人：富士通株式会社, 日東化学工業株式会社
加工パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-317430 出願人：株式会社日立製作所
特開昭63-092021

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