特許
J-GLOBAL ID：200903081953324470
パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-276003
公開番号（公開出願番号）：特開平11-119441
出願日： 1997年10月08日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 レジスト膜のチャージアップに起因するゲート絶縁膜等の破壊及びアライメント精度の低下を回避できるとともに、工程数が少なく、半導体集積回路の製造コストを低減できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】 微細加工すべき被処理膜11が形成された基板10上に、露光(又は露光後のベーク)により極性が変化する有機導電性材料からなる有機導電性膜12を形成する。その後、有機導電性膜12を選択露光し、必要に応じてベークした後、シリル化処理を施す。次いで、酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施し、有機導電性膜12のうち表面がシリル化されていない部分を除去する。これにより残存した有機導電性膜12からなるパターンをエッチングマスクとして、被処理膜11をドライエッチングする。
請求項（抜粋）：
被処理物上に、露光により極性が変化する有機導電性材料からなる有機導電性膜を形成する工程と、前記有機導電性膜を選択的に露光する工程と、前記有機導電性膜に対しシリル化処理を施す工程と、酸素を含むガスを用いてプラズマエッチングを施し、前記有機導電性膜のうち表面がシリル化されていない部分を除去する工程と、残存した有機導電性膜をエッチングマスクとして前記被処理物をエッチングする工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (4件)：
G03F 7/38 512
, G03F 7/004 521
, H01L 21/3065
, H01L 51/00
G03F 7/38 512
, G03F 7/004 521
, H01L 21/302 H
, H01L 29/28
