アクティブマトリクス表示装置及びアクティブマトリクス表示装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： , , ,
代理人 (1件)：鶴若俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-042414
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181592
出願日： 2010年02月26日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】紫外線の影響により特性が悪化することを防止することが可能である。【解決手段】アクティブマトリクス表示装置は、波長200nmから320nmにおける光線透過率が10%以下であり、波長450nm、波長540nmおよび波長620nmにおける光線透過率が80%以上であるプラスチック基板2上に、酸素(O)と窒素(N)の混合物で、酸素(O)に対する窒素(N)の比(N数密度/O数密度)が0乃至2である非金属元素を含む半導体層7をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ1を有する。また、波長200nmから370nmにおける光線透過率が10%以下である遮光層8を有し、波長450nm、波長540nmおよび波長620nmにおける光線透過率が80%以上であるプラスチック基板2上に、酸素(O)と窒素(N)の混合物で酸素(O)に対する窒素(N)の比(N数密度/O数密度)が0乃至2である非金属元素を含む半導体層をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタ1を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

波長200nmから320nmにおける光線透過率が10%以下であり、波長450nm、波長540nmおよび波長620nmにおける光線透過率が80%以上であるプラスチック基板上に、酸素(O)と窒素(N)の混合物で、酸素(O)に対する窒素(N)の比(N数密度/O数密度)が0乃至2である非金属元素を含む半導体層をチャネルに用いて形成した薄膜トランジスタを有することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 , G09F 9/30 , H01L 51/50 , H05B 33/08 , H05B 33/02 , H05B 33/10 , H01L 21/363

FI (10件)：

H01L29/78 626C , G09F9/30 310 , G09F9/30 338 , H05B33/14 A , H05B33/08 , H05B33/02 , H05B33/10 , H01L29/78 618B , H01L29/78 619B , H01L21/363

Fターム (37件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC21 , 3K107DD16 , 3K107EE04 , 3K107FF05 , 3K107FF13 , 3K107FF15 , 3K107FF17 , 5C094AA31 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EB02 , 5C094FB01 , 5C094FB02 , 5C094FB14 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103HH01 , 5F103LL13 , 5F110AA06 , 5F110AA14 , 5F110AA21 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD06 , 5F110DD08 , 5F110GG01 , 5F110GG15 , 5F110GG43 , 5F110NN02 , 5F110NN50

引用特許：

審査官引用 (5件)

酸窒化物半導体
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-115730 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置,半導体装置の製造方法,表示装置及び表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-091567 出願人：富士フイルム株式会社
アモルファス酸化物を用いた電界効果型トランジスタ、及び該トランジスタを用いた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-305950 出願人：キヤノン株式会社

全件表示

前のページに戻る