スピンメモリおよびスピントランジスタ

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：勝沼宏仁 , 佐藤泰和 , 川崎康 , 関根毅 , 赤岡明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-065084
公開番号（公開出願番号）：特開2011-199064
出願日： 2010年03月19日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】単方向電流で書き込みをすることを可能にするとともに回路面積が増大するのを防止することを可能にする。【解決手段】第1強磁性層21、第1非磁性層23、第2強磁性層25、第2非磁性層27、および第3強磁性層29がこの順序または逆の順序で積層された積層構造を有し第3強磁性層と第2強磁性層とが第2非磁性層を介して反強磁性的な交換結合をする強磁性積層膜20を含むメモリセル10を備え、第1強磁性層から第3強磁性層に向かう単一方向の電流を強磁性積層膜に流して、電流の大きさに応じて第1強磁性層に異なる磁化状態の書き込みを行うとともに第1強磁性層からの読み出しを行なう。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1強磁性層、第1非磁性層、第2強磁性層、第2非磁性層、および第3強磁性層がこの順序または逆の順序で積層された積層構造を有し前記第3強磁性層と前記第2強磁性層とが前記第2非磁性層を介して反強磁性的な交換結合をする強磁性積層膜を含むメモリセルを備え、前記第1強磁性層から前記第3強磁性層に向かう単一方向の電流を前記強磁性積層膜に流して、前記電流の大きさに応じて前記第1強磁性層に異なる磁化状態の書き込みを行うとともに前記第1強磁性層からの読み出しを行なうことを特徴とするスピンメモリ。

IPC (5件)：

H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 29/82 , H01L 43/08 , G11C 11/15

FI (4件)：

H01L27/10 447 , H01L29/82 Z , H01L43/08 Z , G11C11/15 140

Fターム (36件)：

4M119AA11 , 4M119BB01 , 4M119BB13 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD42 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119HH01 , 5F092AA12 , 5F092AB07 , 5F092AC12 , 5F092AC24 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB24 , 5F092BB33 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB44 , 5F092BB55 , 5F092BC07 , 5F092BD03 , 5F092BD04 , 5F092BD05 , 5F092BD13 , 5F092BD14 , 5F092BD15 , 5F092DA03

引用特許：

審査官引用 (4件)

磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-019973 出願人：株式会社東芝
スピンMOSFET
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-244656 出願人：株式会社東芝
縦型スピントランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-058782 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る