特許

J-GLOBAL ID：201103090663573988

半導体薄膜の製造方法およびその製造方法による半導体薄膜を備えた磁電変換素子

発明者： 植田 雅也 ,  佐藤 友春 ,  西川 雅永
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 森下 武一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-188220
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009364
特許番号：特許第3823693号
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 表面がシリコン単結晶からなる基板の表面酸化膜を除去し、かつ、前記基板の表面を水素で終端させる工程と、 前記基板上にインジウムからなる緩衝層を形成する工程と、 前記緩衝層上にインジウムとアンチモンからなる初期核層を形成する工程と、 前記基板を460°C〜480°Cに昇温した後、前記基板の温度の関数で近似される保持時間を設け、その後に前記初期核層上にインジウムとアンチモンからなる本成長層を形成する工程と、を備え、 前記基板の温度の関数で近似される保持時間の関係式は、前記本成長層の形成時の表面がシリコン単結晶からなる基板の温度T(°C)と前記保持時間τ(分)とした場合、 -0.02T2+17.3T-3703<τ<-0.02T2+17.3T-3691、かつ、τ>0 を満足していることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 43/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/20 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01)

FI (4件)：

H01L 43/06 S ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 43/08 S

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体薄膜の製造方法および磁電変換素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-104125   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体薄膜の製造方法および半導体磁気抵抗素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-231576   出願人：松下電器産業株式会社
• InSb薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-003395   出願人：株式会社村田製作所
• InSb薄膜の転写形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357049   出願人：株式会社村田製作所