特許
J-GLOBAL ID：201103091378364336
誘電体フィルムを形成する方法、新規前駆体および半導体製造におけるそれらの使用
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-240668
公開番号（公開出願番号）：特開2011-071528
出願日： 2010年10月27日
公開日（公表日）： 2011年04月07日
要約：
【課題】式(I):(Zr1-a M2a)ObNc(ここで、0≦a<1、0<b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、0≦c≦1、M2は金属原子を示す)の化合物を含む金属含有誘電体フィルムを基板上に堆積する方法の提供。【解決手段】基板を反応チャンバーの中に提供する工程a)と、Zr(MeCp)(NMe2)3、Zr(EtCp)(NMe2)3、ZrCp(NMe2)3、Zr(MeCp)(NEtMe)3、Zr(EtCp)(NEtMe)3、ZrCp(NEtMe)3、Zr(MeCp)(NEt2)3等から選択される少なくとも一つのZr金属含有前駆体を気化させる工程b)と、前記第1の気相金属源と前記任意の第2の気相金属源とを前記反応チャンバーに導入し、それらと前記基板との接触を生じさせ、前記基板上に先に定義された式(I)の化合物を含有する金属含有誘電体フィルムの堆積を生じさせる工程c)とを含む方法。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
式(I):(M11-a M2a) Ob Nc(ここで、
0≦a<1、
0<b≦3、好ましくは1.5≦b≦2.5、
0≦c≦1、
M1はハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)およびチタン(Ti)から選択される金属を示し、
M2は、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、亜鉛(Zn)、ホウ素(B)、アルミニウム(A)、インジウム(In)、ケイ素(Si)、ゲルマニウム(Ge)、スズ(Sn)、ハフニウム(Hf)、ジルコニウム(Zr)、チタン(Ti)、バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、タンタル(Ta)、ならびにランタノイド原子、より具体的にはスカンジウム(Sc)、イットリウム(Y)およびランタン(La)および希土類金属原子からなる群より選択される金属原子を示す)の化合物を含む少なくとも1つの金属含有誘電体フィルムを基板上に堆積する方法であって、
- 基板を反応チャンバーの中に提供する工程a)と、
- 少なくとも1つの式(II):(R1yOp)x (R2tCp)z M1 R’4-x-z (ここで、
M1は先に定義されたものであり、
0≦x≦3、好ましくはx=0または1であり、
0≦z≦3、好ましくはz=1または2であり、
1≦(x+z)≦4であり、
0≦y≦7、好ましくはy=2、0≦t≦5、好ましくはt=1であり、
(R1yOp)は、置換されていないか、または1つ以上のR1基によって置換されているかのいずれかであるペンタジエニル(Op)配位子を示し、yは前記ペンタジエニル配位子上のR1置換基の数を示し、
(R2tCp)は、置換されていないか、または1つ以上のR2基によって置換されているかのいずれかであるシクロペンタジエニル(Cp)配位子を示し、tは前記シクロペンタジエニル配位子上のR1置換基の数を示し、
R1とR2は同一または異なり、塩素基、1ないし4個の炭素原子を持つ直鎖または分岐鎖アルキル基、アルキル基が直鎖または分岐鎖でありかつ1ないし4個の炭素原子を持つN-アルキルアミノ基、互いに同一または異なる各々のアルキル基が直鎖または分岐鎖でありかつ1ないし4個の炭素原子を持つN,N-ジアルキルアミノ基、1ないし4個の炭素原子を持つ直鎖または分岐鎖アルコキシ基、アルキルシリルアミド基、アミジナート基またはカルボニル基からなる群より独立に選択され、
R’は、水素、塩素、臭素またはヨウ素原子、1ないし4個の炭素原子を持つ直鎖または分岐鎖アルキル基、アルキル基が直鎖または分岐鎖でありかつ1ないし4個の炭素原子を持つN-アルキルアミノ基、各アルキル基が互いに同一または異なり、直鎖または分岐鎖でありかつ1ないし4個の炭素原子を持つN,N-ジアルキルアミノ基、1ないし4個の炭素原子を持つ直鎖または分岐鎖アルコキシ基、1ないし4個の炭素原子を持つ直鎖または分岐鎖アルコキシ基、アルキル基が直鎖または分岐鎖でありかつ1ないし4個の炭素原子を持つアルキルシリルアミノ基、各アルキル基が互いに同一または異なり、直鎖または分岐鎖でありかつ1ないし4個の炭素原子を持つジアルキルシリルアミノ基、各アルキル基が互いに同一または異なり、直鎖または分岐鎖でありかつ1ないし4個の炭素原子を持つトリアルキルシリルアミノ基、アミジナート基またはカルボニルからなる群より独立に選択される配位子を示し、前記式(II)が2つ以上のR’基を含む場合は、各々のR’は互いに同一または異なり得ると理解される)のM1金属含有前駆体を気化させ、第1の気相金属源を形成する工程b)と、
- 任意で、少なくとも1つのM2金属含有前駆体 (M2は先に定義されたものである) を気化させ、任意の第2の気相金属源を形成する工程b')と、
- 前記第1の気相金属源と前記任意の第2の気相金属源とを前記反応チャンバーに導入し、それらと前記基板との接触を生じさせ、前記基板上に先に定義された式(I)の化合物を含有する金属含有誘電体フィルムの堆積を生じさせる工程c)と
を含む(ただし、形成される少なくとも1つの金属含有誘電体フィルムが、a=0、b=2、かつc=0であるところの先に定義された式(I)に相当する式(I'):M11 O2の化合物を含む場合、および工程b)で用いられるM1金属含有前駆体が、x=0かつz=2であるところの先に定義された式(II)に相当する式(II'):(R2tCp)2 M1 R’2の化合物を含む場合は、前記式(II')における2つの(R2tCp)配位子の少なくとも1つにおいてt>0である)方法。
IPC (4件)：
H01L 21/316
, C23C 16/40
, H01L 21/318
, C07F 7/00
H01L21/316 X
, C23C16/40
, H01L21/318 C
, C07F7/00 A
4H049VN06
, 4H049VP01
, 4H049VQ07
, 4H049VQ35
, 4H049VR21
, 4H049VR53
, 4H049VU36
, 4K030AA06
, 4K030AA09
, 4K030AA11
, 4K030AA13
, 4K030AA14
, 4K030BA01
, 4K030BA10
, 4K030BA18
, 4K030BA22
, 4K030BA35
, 4K030BA42
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA01
, 4K030FA10
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 5F058BC02
, 5F058BC03
, 5F058BF06
, 5F058BF27
, 5F058BJ01
