導電性バリア膜形成材料、導電性バリア膜形成方法、及び配線膜形成方法、並びにULSI

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宇高克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-281568
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102326
出願日： 1999年10月01日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】溝や穴の開口部と深さとの比(開口部/深さ)が1/5〜1/7のような条件を要求されても、又、厚さが10nm以下であっても成膜が可能で、かつ、銅の拡散防止(バリア性)に優れ、更には電気抵抗が小さく、銅膜との密着性にも優れた導電性バリア膜形成材料を提供することである。【解決手段】ケミカルベーパーデポジションにより導電性Ti-Zr系バリア膜を形成する為の材料であって、ハロゲン化Ti系化合物(TiCl4 等)とハロゲン化Zr系化合物(ZrCl4 等)とを含む。又は、Tiを持つ金属有機化合物とZrを持つ金属有機化合物とを含む。或いは、Taを持つ金属有機化合物とWを持つ金属有機化合物とを含む。

請求項（抜粋）：

ケミカルベーパーデポジションにより導電性Ti-Zr系バリア膜を形成する為の材料であって、ハロゲン化Ti系化合物と、ハロゲン化Zr系化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。

IPC (10件)：

H01L 21/285 301 , H01L 21/285 , C01G 25/00 , C01G 41/00 , C23C 16/08 , H01L 21/3205 , C07F 7/00 , C07F 7/28 , C07F 9/00 , C07F 11/00

FI (10件)：

H01L 21/285 301 R , H01L 21/285 C , C01G 25/00 , C01G 41/00 A , C23C 16/08 , C07F 7/00 A , C07F 7/28 , C07F 9/00 Z , C07F 11/00 C , H01L 21/88 S

Fターム (62件)：

4G048AA01 , 4G048AA06 , 4G048AB01 , 4G048AC04 , 4G048AD02 , 4G048AE06 , 4G048AE08 , 4H049VN05 , 4H049VN06 , 4H049VP01 , 4H049VQ02 , 4H049VQ39 , 4H049VR11 , 4H049VR22 , 4H049VR51 , 4H049VU25 , 4H050AA03 , 4H050AB78 , 4H050WB11 , 4H050WB14 , 4H050WB17 , 4H050WB21 , 4H050WB22 , 4K030AA02 , 4K030AA03 , 4K030AA06 , 4K030AA07 , 4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA01 , 4K030BA17 , 4K030BA18 , 4K030BA20 , 4K030BA22 , 4K030BA38 , 4K030CA04 , 4K030FA01 , 4K030FA10 , 4K030JA09 , 4K030LA15 , 4M104BB14 , 4M104BB17 , 4M104BB29 , 4M104CC01 , 4M104DD45 , 4M104FF17 , 4M104HH04 , 5F033JJ11 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ34 , 5F033KK01 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP02 , 5F033PP04 , 5F033PP09

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体ウエハ上への膜の構築
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-218886 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-170285 出願人：ヤマハ株式会社
半導体装置および該半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-131977 出願人：日本電気株式会社

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