特許
J-GLOBAL ID：201103091576227263

GaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体およびその製造方法

発明者：
鵜殿 治彦

鵜殿 治彦 について


出願人/特許権者：
国立大学法人茨城大学

国立大学法人茨城大学 について


代理人 (2件)： 秋元 輝雄 ,  越智 俊郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-075467
公開番号（公開出願番号）：特開2011-210845
出願日： 2010年03月29日
公開日（公表日）： 2011年10月20日
要約：
【課題】約300〜600°Cの中温で高い性能指数が期待できる熱電変換材料や光センサ、光学素子などとして有効利用できる安価なGaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体の提供および短時間でしかも安全に容易に製造できる製造方法の提供。【解決手段】下式(1)あるいは下式(2)で表されることを特徴とするGaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体により課題を解決できる。Mn11Si19-xGax 式(1)[式(1)において、xは0を超え0.1以下である。]Mn4 Si7-y Sny 式(2)[式(2)において、yは0を超え0.1以下である。]2 Si多結晶体により課題を解決できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下式(1)あるいは下式(2)で表されることを特徴とするGaあるいはSnでドーピングされたバルク状マンガンシリサイド単結晶体あるいは多結晶体。 Mn11Si19-xGax 式(1) [式(1)において、xは0を超え0.1以下である。] Mn4 Si7-y Sny 式(2) [式(2)において、yは0を超え0.1以下である。]
IPC (3件)：
H01L 35/14 ,  H01L 35/34 ,  C30B 29/52
FI (3件)：
H01L35/14 ,  H01L35/34 ,  C30B29/52
Fターム (10件)：
4G077AA02 ,  4G077BA10 ,  4G077CD04 ,  4G077EA01 ,  4G077EB01 ,  4G077EC07 ,  4G077EH07 ,  4G077HA01 ,  4G077MB07 ,  4G077MB33
引用特許：
審査官引用 (4件)
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