特許
J-GLOBAL ID：200903088885598218

熱電素子の製造方法

発明者：
向島 美香

向島 美香 について

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青山 生人

青山 生人 について

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水上 裕之

水上 裕之 について

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原 麗子

原 麗子 について

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佐野 精二郎

佐野 精二郎 について


出願人/特許権者：
株式会社小松製作所

株式会社小松製作所 について


代理人 (1件)： 特許業務法人ウィルフォート国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-289578
公開番号（公開出願番号）：特開2006-108203
出願日： 2004年10月01日
公開日（公表日）： 2006年04月20日
要約：
【課題】 熱電素子の製造方法において、異方性の結晶構造を持った熱電素子の結晶方位を所望の方位に制御できるようにする。【解決手段】 坩堝1が坩堝軸9によって支持された状態で、可動機構により垂直方向に移動可能に構成されている。坩堝1、及び坩堝軸9の垂直方向への移動によって、原料の融液13と、原料の結晶15との境界面である成長界面の位置が可変する。垂直ブリッジマン(VB)法結晶成長炉を用いる。所望の方位を持つ種結晶17を用いて、該種結晶17から成長させることにより、結晶方位が或る特定の方向、例えば結晶の抵抗が低いC面方向(又はA軸方向)に制御された、異方性の結晶構造を持った熱電素子を得ることが可能になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
種結晶(17)を用いて、その種結晶(17)から結晶(15)を成長させるようにした熱電素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 35/34 ,  C30B 11/00 ,  C30B 29/52 ,  H01L 35/14
FI (4件)：
H01L35/34 ,  C30B11/00 Z ,  C30B29/52 ,  H01L35/14
Fターム (8件)：
4G077AA02 ,  4G077BE05 ,  4G077CD01 ,  4G077CD02 ,  4G077ED01 ,  4G077HA05 ,  4G077MB03 ,  4G077MB04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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