特許
J-GLOBAL ID：201103091942939670

半導体装置及びその製造方法

発明者：
塚越 純

塚越 純 について

, 
愛場 喜孝

愛場 喜孝 について


出願人/特許権者：
富士通セミコンダクター株式会社

富士通セミコンダクター株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-273148
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119324
出願日： 2009年12月01日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】信頼性の良好な半導体装置及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】一方の主面に於ける半導体素子領域2内に複数の機能素子が配設された半導体基板1と、半導体基板1の一方の主面上に配設され、複数の配線層3と複数の絶縁層4とを含む多層配線層2と、多層配線層2上に形成された第1の有機絶縁物層6と、第1の有機絶縁物層上に形成され、配線層に電気的に接続された他の配線層と、第1の有機絶縁物層6上に、他の配線層を覆うように形成された第2の有機絶縁物層10とを具備し、半導体素子領域を囲む半導体基板領域に、多層配線層を貫く溝が半導体素子領域を囲繞して配設されており、溝内には、前記有機絶縁物層6、有機絶縁物層10のいずれからも分離された有機絶縁物が配設されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の機能素子が配設された半導体素子領域が主面に形成された半導体基板と、 前記半導体基板の前記主面上に配設された多層配線層と、 前記多層配線層上に配設された第1の有機絶縁物層と、 前記半導体素子領域を囲繞するスクライブ領域上の前記多層配線層を貫通した溝と、 前記第1の有機絶縁物層とは離間して、前記溝内に配設された有機絶縁物と を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/768 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/301
FI (3件)：
H01L21/90 Q ,  H01L23/12 501P ,  H01L21/78 L
Fターム (34件)：
5F033GG02 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK08 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ01 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ27 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033RR29 ,  5F033SS11 ,  5F033SS21 ,  5F033TT03 ,  5F033TT04 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX17 ,  5F033XX18 ,  5F033XX19 ,  5F033XX24
引用特許：
審査官引用 (5件)
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