特許
J-GLOBAL ID：201103092034565282

炭化水素系のガスを用いた反射防止膜の形成及び適用方法

発明者：
金 鎔 範

金 鎔 範 について

, 
金 昌 煥

金 昌 煥 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 萩原 誠
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-131261
公開番号（公開出願番号）：特開2000-347004
特許番号：特許第4278827号
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 下地層の形成された半導体基板に高反射膜を形成する第1工程と、 前記高反射膜上に炭化水素系ガスのみを用いて反射防止膜を形成する第2工程と、 前記反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成する第3工程と、 前記フォトレジストパターンを用いて下部の前記反射防止膜及び前記高反射膜を食刻する第4工程と、 前記フォトレジストパターン及び前記反射防止膜を同時に除去する第5工程と を具備し、 前記高反射膜と前記フォトレジストパターンとの間に反射される反射波同士の位相差を用いて消滅効果を増大させる膜厚とすることにより反射防止膜の効果を増大させる絶縁膜を形成する工程を第1工程と第2工程との間、又は第2工程と第3工程との間でさらに実行することを特徴とする炭化水素系のガスを用いた反射防止膜の適用方法。
IPC (5件)：
G03F 7/004 ( 200 6.01) ,  G02B 1/11 ( 200 6.01) ,  G03F 7/11 ( 200 6.01) ,  G03F 7/40 ( 200 6.01) ,  H01L 21/027 ( 200 6.01)
FI (5件)：
G03F 7/004 504 ,  G02B 1/10 A ,  G03F 7/11 503 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 574
引用特許：
審査官引用 (10件)
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