特許
J-GLOBAL ID：201103093460050270

現像処理方法

発明者：
稲富 裕一郎

稲富 裕一郎 について

, 
岩下 光秋

岩下 光秋 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-230642
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082200
出願日： 2009年10月02日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】更にレジストパターンを微細化し、その高さを増大させたときも、基板上のリンス液を除去する際に、パターン倒れを防止できる現像処理方法を提供する。【解決手段】レジストパターンが現像された後、リンス液が供給された基板上に、レジストパターンを疎水化する疎水化剤がハイドロフルオロエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程S14〜S16と、処理液が供給された基板上から、処理液を除去する処理液除去工程S18、S19とを有する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
レジストパターンが現像された後、リンス液が供給された基板上に、前記レジストパターンを疎水化する疎水化剤がハイドロフルオロエーテルで希釈されてなる処理液を供給する処理液供給工程と、 前記処理液が供給された前記基板上から、前記処理液を除去する処理液除去工程と を有する、現像処理方法。
IPC (1件)：
H01L 21/027
FI (2件)：
H01L21/30 569E ,  H01L21/30 569C
Fターム (4件)：
5F046LA01 ,  5F046LA12 ,  5F146LA01 ,  5F146LA12
引用特許：
審査官引用 (5件)
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