特許
J-GLOBAL ID：200903030588396730

レジストパターンの再形成方法

発明者：
中森 光則

中森 光則 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (3件)： 金本 哲男 ,  亀谷 美明 ,  萩原 康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-178406
公開番号（公開出願番号）：特開2009-016657
出願日： 2007年07月06日
公開日（公表日）： 2009年01月22日
要約：
【課題】より少ない工程でより簡単にレジストパターンを再形成する。【解決手段】先ず、ウェハの下地のSOG膜上に形成された不良のレジストパターンを酸化して除去する。その後、SOG膜の表面を疎水化し、その後、そのSOG膜上に再度レジストパターンを形成する。SOG膜の表面の疎水化は、TMSDMA(トリメチルシランジメチルアミン)又はTMHD(DPM)(テトラメチルヘプタンジオン)を含む疎水化剤を用いて行われる。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
レジストパターンを再形成する方法であって、 基板の所定の下地膜上に形成された、不良のレジストパターン又は不良のレジストパターンを含む上層膜を酸化して除去する工程と、 その後、下地膜の表面を疎水化する工程と、 その後、下地膜上に再度レジストパターン又はレジストパターンを含む上層膜を形成する工程と、を有することを特徴とする、レジストパターンの再形成方法。
IPC (1件)：
H01L 21/027
FI (4件)：
H01L21/30 563 ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 502C ,  H01L21/30 572
Fターム (4件)：
5F046AA13 ,  5F046AA17 ,  5F046HA01 ,  5F046MA18
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (19件)
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