半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-077735
公開番号（公開出願番号）：特開2011-228689
出願日： 2011年03月31日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタにおいて、酸化物半導体膜の上面部及び下面部に、酸化物半導体膜と同種の成分でなる金属酸化物膜を積層され、さらに、金属酸化物膜において酸化物半導体膜と接する面と対向する面には、金属酸化物膜及び酸化物半導体膜とは異なる成分でなる絶縁膜が接して設けられているトランジスタを提供する。また、トランジスタの活性層に用いる酸化物半導体膜は、熱処理によって、水素、水分、水酸基または水素化物などの不純物を酸化物半導体より排除し、かつ不純物の排除工程によって同時に減少してしまう酸化物半導体を構成する主成分材料である酸素を供給することによって、高純度化及び電気的にi型(真性)化されたものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して設けられた第1の金属酸化物膜と、前記第1の金属酸化物膜と接し、前記ゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜と接するソース電極及びドレイン電極と、前記酸化物半導体膜と接する第2の金属酸化物膜と、前記第2の金属酸化物膜を覆う絶縁膜と、を有する半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 , H01L 21/363 , G02F 1/136 , G02F 1/134

FI (7件)：

H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 617U , H01L29/78 619A , H01L21/363 , G02F1/1368 , G02F1/1345

Fターム (101件)：

2H092GA29 , 2H092GA51 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092JA26 , 2H092JA36 , 2H092JA46 , 2H092JB61 , 2H092KA07 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA13 , 2H092MA14 , 2H092MA27 , 2H092NA21 , 2H092NA22 , 5F103AA08 , 5F103BB22 , 5F103DD30 , 5F103LL13 , 5F103NN02 , 5F103NN06 , 5F103PP03 , 5F110AA14 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110BB02 , 5F110BB10 , 5F110BB12 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD07 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF10 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN25 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN36 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-079273 出願人：シャープ株式会社, 大野英男, 川崎雅司
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-295763 出願人：日本板硝子株式会社, 浜松ホトニクス株式会社
半導体発光素子、半導体発光素子実装体及び半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-247902 出願人：国立大学法人静岡大学

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