特許
J-GLOBAL ID：201103094614224604

ダイナミック閾値動作トランジスタの製造方法

発明者：
柴田 晃秀

柴田 晃秀 について

, 
岩田 浩

岩田 浩 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-183686
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091576
特許番号：特許第3722651号
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ゲート電極とウェル領域とを接続したダイナミック閾値動作トランジスタにおいて、半導体基板と、前記半導体基板内に形成された第1導電型のウェル領域と、前記半導体基板内かつ前記第1導電型のウェル領域上に形成された第2導電型のウェル領域と、前記第2導電型のウェル領域中に位置しかつ前記第2導電型のウェルより高い不純物濃度の高濃度埋込領域と、前記第2導電型のウェル領域と隣接する第2導電型のウェル領域とを電気的に分離するための溝型分離領域と、前記第2導電型のウェル領域の表面層に形成された第1導電型のソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域と前記ドレイン領域間に形成されたチャネル領域と、前記チャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成され、前記第2導電型のウェル領域に電気的に接続されたゲート電極を備え、前記第2導電型のウェル領域と前記ソース領域及び前記ドレイン領域との間の接合容量、前記第2導電型のウェル領域と前記第1導電型のウェル領域との間の接合容量、及び前記第2導電型のウェル領域と前記チャネル領域中に形成される反転層との間の静電容量の和Cと、前記第2導電型のウェル領域の電気抵抗Rとの積τ(=CR)が6×10-12〜5×10-11秒であり、前記第2導電型のウェル領域のシート抵抗が300Ω/□〜10kΩ/□であるダイナミック閾値動作トランジスタの製造方法であって、 前記第2導電型のウェル領域及び前記高濃度埋込領域が、イオン注入工程と注入された不純物イオンを活性化させるための熱処理工程を経ることにより形成され、(1)前記イオン注入工程が、前記溝型分離領域の形成後前記ゲート絶縁膜の形成前に、第2導電型の不純物イオンとして11B+イオンのとき、注入エネルギーとして60〜500KeV、注入量として1×1014cm-2未満の条件下、又は第2導電型の不純物イオンとして31P+イオンのとき、注入エネルギーとして130〜900KeV、注入量として1×1014cm-2未満の条件下で行われ、(2)前記熱処理工程が、前記ゲート絶縁膜の形成時及び前記ソース領域と前記ドレイン領域形成時の熱処理工程と同時に行われることを特徴とするダイナミック閾値動作トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/092
FI (5件)：
H01L 29/78 301 X ,  H01L 21/265 602 A ,  H01L 29/78 301 S ,  H01L 21/265 Z ,  H01L 27/08 321 C
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM