特許
J-GLOBAL ID：201103094714562400
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高野 則次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248734
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060229
特許番号：特許第4058593号
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物系化合物半導体を含んでいる半導体発光素子であって、
不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している基板と、
前記基板の一方の主面上に配置されたバッファ層と、
発光機能を得るために前記バッファ層の上に配置された複数の窒化物系化合物半導体層を含んでいる半導体領域と、
前記半導体領域の表面上に配置された第1の電極と、
前記基板の他方の主面に配置された第2の電極と
を備えており、
前記バッファ層は、AlxByGa1-x-yN(但し、x、yは、0<x≦1、0≦y<1、x+y≦1を満足する数値である。)から成り且つ量子力学的トンネル効果を生じさせることができる1nm〜8nmの厚みを有している第1の層と、AlaBbGa1-a-bN(但し、a、bは、0≦a<1、0≦b<1、a+b≦1を満足する数値である。)から成り且つ10nm〜300nmの厚みを有している第2の層とを複数回繰り返して配置した複合層から成り、前記第1の層と第2の層の内の少なくとも一方にB(ボロン)が含まれていることを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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