特許

J-GLOBAL ID：201103094825450236

ゲルマニウム受光器およびその製造方法

発明者： 土澤 泰 ,  渡辺 俊文 ,  山田 浩治 ,  板橋 聖一 ,  石川 靖彦 ,  和田 一実
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社 ,  国立大学法人 東京大学
代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-047588
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181874
出願日： 2010年03月04日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】シリコンからなる集積回路とゲルマニウム受光器との集積化がより容易に行えるようにする。【解決手段】シリコン層101の上に形成された第1ゲルマニウム層102と、第1ゲルマニウム層102の上に形成された第2ゲルマニウム層103と、第2ゲルマニウム層103の上に第2ゲルマニウム層103の上面を覆って形成されたシリコンキャップ層104とを少なくとも備える。第1ゲルマニウム層102および第2ゲルマニウム層103は、周囲が絶縁層105により覆われている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

シリコン層の上に形成された第1ゲルマニウム層と、 この第1ゲルマニウム層の上に形成された第2ゲルマニウム層と、 この第2ゲルマニウム層の上に前記第2ゲルマニウム層の上面を覆って形成されたシリコンキャップ層と を少なくとも備え、 前記第1ゲルマニウム層および前記第2ゲルマニウム層の一方はノンドープとされ、他方は第1導電型とされ、 ノンドープとされた前記第1ゲルマニウム層の側の前記シリコン層、もしくはノンドープとされた前記第2ゲルマニウム層の側の前記シリコンキャップ層は、第2導電型とされ、 第1導電型とされた前記第2ゲルマニウム層の側の前記シリコンキャップ層、もしくは第1導電型とされた前記第1ゲルマニウム層の側の前記シリコン層は、第1導電型とされている ことを特徴とするゲルマニウム受光器。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L31/10 A ,  H01L21/205 ,  H01L21/316 X

Fターム (31件)：

5F045AA03 ,  5F045AB05 ,  5F045AC01 ,  5F045AD10 ,  5F045AF03 ,  5F045AF20 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045CA13 ,  5F049MA04 ,  5F049MB03 ,  5F049NA08 ,  5F049NB01 ,  5F049PA03 ,  5F049PA09 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049RA06 ,  5F049SS03 ,  5F049SS07 ,  5F049WA01 ,  5F058BA02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BF39 ,  5F058BJ07 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体光検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-097533   出願人：日本電気株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-216624   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-089836   出願人：セイコーエプソン株式会社