半導体装置とその製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-089836
公開番号（公開出願番号）：特開2003-282932
出願日： 2002年03月27日
公開日（公表日）： 2003年10月03日
要約：

【要約】【課題】欠陥が少なく、結晶性のよい格子緩和したゲルマニウム膜及びシリコンゲルマニウム膜を、絶縁体基板、或いは絶縁膜上に形成された単結晶シリコン膜上に成長させる方法を提供する。【解決手段】絶縁性基板或いは絶縁膜上の単結晶シリコン薄膜に、シリコンゲルマニウム混晶膜又はゲルマニウム膜或いはその多層単結晶膜を、エピタキシャル成長させる工程と、その後或いはその途中工程において熱処理によって格子緩和を促す工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

絶縁体基板或いは絶縁膜上に形成された単結晶シリコン薄膜上に、シリコンゲルマニウム混晶膜又はゲルマニウム膜或いはその多層単結晶膜のいずれから成るエピタキシャル膜を具備し、外部光入力信号を電気信号へ変換する機能を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 31/10 , H01L 21/205 , H01L 27/146 , H01L 29/47 , H01L 29/861 , H01L 29/872

FI (5件)：

H01L 21/205 , H01L 31/10 A , H01L 29/91 F , H01L 29/48 M , H01L 27/14 A

Fターム (31件)：

4M104BB09 , 4M104CC03 , 4M104GG05 , 4M118AA10 , 4M118AB10 , 4M118CA05 , 4M118CA06 , 4M118CB01 , 4M118CB14 , 4M118EA01 , 5F045AA04 , 5F045AA05 , 5F045AA07 , 5F045AB01 , 5F045AB02 , 5F045AB05 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA13 , 5F045DA67 , 5F045HA06 , 5F049MA04 , 5F049MA05 , 5F049MB02 , 5F049NA05 , 5F049PA03 , 5F049PA04 , 5F049PA05 , 5F049PA11 , 5F049SS01 , 5F049SS03

引用特許：

審査官引用 (12件)

光センサ及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-356083 出願人：三洋電機株式会社
特開平4-369212
半導体基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-296863 出願人：株式会社東芝

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