特許
J-GLOBAL ID:201103094934253025

半導体発光装置およびその製造方法ならびに光学式情報記録再生装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 秀策
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-121824
公開番号(公開出願番号):特開2002-319733
特許番号:特許第4646095号
出願日: 2001年04月19日
公開日(公表日): 2002年10月31日
請求項(抜粋):
【請求項1】レーザ光の自励発振を行う半導体発光装置であって、 半導体基板と、 該半導体基板上に複数の窒化物半導体層を積層してなる積層構造と、 該積層構造内に、レーザ発振を行う共振器を構成するストライプ状導波路が形成されるよう、該複数の窒化物半導体層のうちの活性層に供給する電流を狭窄する電流狭窄構造とを備え、 該積層構造は、 該活性層における電流が注入される、該ストライプ状導波路を構成する電流注入領域での欠陥密度に比べて、該ストライプ状導波路の両側に位置する、該活性層の電流注入領域以外の可飽和吸収領域での欠陥密度が大きくなるよう、該複数の窒化物半導体層を成長させたものであることを特徴とする半導体発光装置。
IPC (4件):
H01S 5/065 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01S 5/22 ( 200 6.01) ,  H01S 5/323 ( 200 6.01)
FI (4件):
H01S 5/065 610 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/22 ,  H01S 5/323 610
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (5件)
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