特許
J-GLOBAL ID：201103094991205070
SOIウェーハおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安倍 逸郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-261798
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085649
特許番号：特許第4553423号
出願日： 1999年09月16日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶シリコンウェーハに酸素を高濃度でイオン注入する工程と、
イオン注入された単結晶シリコンウェーハに高温の熱処理を施し、この単結晶シリコンウェーハの内部にシリコン酸化膜の埋め込み層を形成することにより、上記単結晶シリコンウェーハのイオン注入側の表面に所定厚さの活性層を形成する工程とを備えたSOIウェーハの製造方法において、
ソースガスにSiHCl3を用い、成膜温度1160°C、炉内圧力7500Paとする成膜条件で、上記活性層の表面に、この活性層の総厚が1.4〜30μmになるまで、単結晶シリコンからなるエピタキシャル増厚層をエピタキシャル成長させるSOIウェーハの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02 ( 200 6.01)
, H01L 27/12 ( 200 6.01)
, H01L 21/265 ( 200 6.01)
H01L 27/12 E
, H01L 21/265 J
