特許
J-GLOBAL ID：201103095632122033
半導体発光素子の製法および半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河村 洌
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-190320
公開番号（公開出願番号）：特開2002-009399
特許番号：特許第4623799号
出願日： 2000年06月23日
公開日（公表日）： 2002年01月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 ウェハ状基板表面に直接、または該基板上に設けられる層上に、その上にはチッ化物系化合物半導体層が直接には成長しないマスク層を形成し、該マスク層にチッ化物系化合物半導体層を成長するシードを露出するための開口部を、前記マスク層をパターニングすることにより、前記ウェハ状基板の全面で単一方向に連続するもののみにならないように形成し、該パターニングされたマスク層の前記開口部側端部を残して前記パターニングされたマスク層の表面をエッチングすることにより凹部を形成し、前記開口部から前記マスク層の凹部上に横方向に選択成長することによりチッ化物系化合物半導体層を前記ウェハ状基板上の全面に設け、該チッ化物系化合物半導体層上に発光層を形成するようにチッ化物系化合物半導体からなる半導体積層部を形成し、前記ウェハ状基板をチップ化することを特徴とする半導体発光素子の製法。
IPC (3件)：
H01S 5/323 ( 200 6.01)
, H01L 21/205 ( 200 6.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
H01S 5/323
, H01L 21/205
, H01L 33/00 186
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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