半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-229690
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050188
特許番号：特許第4467728号
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数の入出力端子と、該複数の入出力端子の各々に対応するブロックからなるメモリセル配列と、該ブロックの各々に対して複数個隣接して設けられ、該メモリセル配列のデータをセンスするセンスアンプと、該複数のセンスアンプに対応する複数のスイッチと、該複数のセンスアンプを該複数のスイッチを介して該複数の入出力端子の対応する1つに接続する信号配線を含み、前記メモリセル配列はフラッシュメモリセルを含み、前記ブロックの複数個をまとめて1つの消去単位として前記メモリセル配列のデータ消去を該消去単位ごとに順次実行することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (2件)：