特許
J-GLOBAL ID:201103096557628968
半導体ガスセンサの間欠駆動方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (11件):
奥山 尚一
, 有原 幸一
, 松島 鉄男
, 河村 英文
, 吉田 尚美
, 中村 綾子
, 深川 英里
, 森本 聡二
, 角田 恭子
, 松崎 隆
, 広瀬 幹規
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-146277
公開番号(公開出願番号):特開2011-002358
出願日: 2009年06月19日
公開日(公表日): 2011年01月06日
要約:
【課題】本発明は、メタン及び水素に対する選択性が良く、かつ、十分なCO濃度勾配をもつことにより、高い精度で検知対象を検知することができる半導体ガスセンサの間欠駆動方法を提供する。【解決手段】ガス感知膜に吸着した雑ガスをクリーニングするために、センサをヒータにより高温状態(High)まで加熱し、該高温状態で保持し、ガスを検知し、一酸化炭素の濃度を求めるために、前記センサを第一の低温状態(Low1)まで下げ、該第一の低温状態で保持し、一酸化炭素のみを更に前記ガス感知膜へ吸着させるために、前記センサを一旦オフ(Off)にし、該オフ状態で保持し、一酸化炭素に対するメタン及び水素の選択性を測定するために、前記センサを第二の低温状態(Low2)まで上げ、該第二の低温状態で保持することを特徴とする半導体ガスセンサの間欠駆動方法を提供する。【選択図】図2
請求項(抜粋):
ガス感知膜に吸着した雑ガスをクリーニングするために、センサをヒータにより高温状態(High)まで加熱し、該高温状態で保持し、
ガスを検知し、一酸化炭素の濃度を求めるために、前記センサを第一の低温状態(Low1)まで下げ、該第一の低温状態で保持し、
一酸化炭素のみを更に前記ガス感知膜へ吸着させるために、前記センサを一旦オフ(Off)にし、該オフ状態で保持し、
一酸化炭素に対するメタン及び水素の選択性を測定するために、前記センサを第二の低温状態(Low2)まで上げ、該第二の低温状態で保持する
ことを特徴とする半導体ガスセンサの間欠駆動方法。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (12件):
2G046AA05
, 2G046AA11
, 2G046AA19
, 2G046BA01
, 2G046BA03
, 2G046BB04
, 2G046DB02
, 2G046DB03
, 2G046DB07
, 2G046DC06
, 2G046DC07
, 2G046EB06
引用特許: