特許
J-GLOBAL ID：201103096647733124

半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法

発明者：
後藤田 徹

後藤田 徹 について

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名 古 肇

名 古 肇 について

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岡 俊 行

岡 俊 行 について

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財 満 康太郎

財 満 康太郎 について

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布 上 真 也

布 上 真 也 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (5件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-052209
公開番号（公開出願番号）：特開2011-187735
出願日： 2010年03月09日
公開日（公表日）： 2011年09月22日
要約：
【課題】レーザリフトオフ法にて基板を剥離する際に、基板上の窒化物系III-V族化合物半導体層の損傷を防止する。【解決手段】化合物半導体層6をサブマウント基板1に接合するアンダーフィル材32がサファイア基板20と化合物半導体層6の側面に接触しないように、アンダーフィル材32にリブ部32aを設けたため、レーザリフトオフ法によりサファイア基板20を剥離する際に、アンダーフィル材32とサファイア基板20との接触によりサファイア基板20の剥離に無理な力を要するといった不具合が生じなくなり、サファイア基板20の剥離時の化合物半導体層6の損傷を防止できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基板と、 前記支持基板上にバンプを介して接合される窒化物系III-V族化合物半導体層からなる発光素子と、 前記支持基板と前記発光素子との間に配置されるアンダーフィル材と、を備え、 前記アンダーフィル材は、前記発光素子の端面よりも外側に配置されて前記発光素子の端面を取り囲むように配置されるリブ部を有することを特徴とする半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/48
FI (1件)：
H01L33/00 400
Fターム (9件)：
5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CA92 ,  5F041DA03 ,  5F041DA09 ,  5F041DA20 ,  5F041DA45
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (3件)

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