特許
J-GLOBAL ID：201103096712903350

グラフェン薄膜の製造方法とグラフェン薄膜

発明者：
藤井 健志

藤井 健志 について

, 
清水 了典

清水 了典 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-217357
公開番号（公開出願番号）：特開2011-063492
出願日： 2009年09月18日
公開日（公表日）： 2011年03月31日
要約：
【課題】作製したグラフェンの電気抵抗が低下せず、高い伝導率が確保されるとともに、低温プロセスで作製可能なグラフェン薄膜の製造方法を提供する。【解決手段】有機溶剤中のグラフェンを、電荷移動錯体を構成する電子受容体有機分子で修飾したグラフェン第1溶液と、有機溶剤中のグラフェンを、電荷移動錯体を構成する電子供与体有機分子で修飾したグラフェン第2溶液とを、基板に塗布する。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
有機溶剤中に分散したグラフェンを、電荷移動錯体を構成する電子受容体有機分子で修飾したグラフェン第1溶液と、 有機溶剤中に分散したグラフェンを、電荷移動錯体を構成する電子供与体有機分子で修飾したグラフェン第2溶液とを、 基板に塗布すること を特徴とするグラフェン薄膜の製造方法。
IPC (1件)：
C01B 31/04
FI (1件)：
C01B31/04 101Z
Fターム (20件)：
4G146AA02 ,  4G146AA17 ,  4G146AB07 ,  4G146AC20A ,  4G146AC20B ,  4G146AD17 ,  4G146AD23 ,  4G146AD24 ,  4G146AD28 ,  4G146AD30 ,  4G146CB07 ,  4G146CB10 ,  4G146CB11 ,  4G146CB12 ,  4G146CB13 ,  4G146CB16 ,  4G146CB17 ,  4G146CB19 ,  4G146CB22 ,  4G146CB35
引用特許：
審査官引用 (3件)
引用文献：
審査官引用 (3件)

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