特許

J-GLOBAL ID：200903070891884153

有機半導体装置の製造方法

発明者： 長谷川 達生 ,  平岡 牧 ,  山田 寿一 ,  十倉 好紀
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-133068
公開番号（公開出願番号）：特開2007-305807
出願日： 2006年05月11日
公開日（公表日）： 2007年11月22日
要約：

【課題】 一般に溶媒への溶解度が低いため溶液の形成が困難な導電性電荷移動錯体材料であっても、有機金属薄膜の溶液プロセスによる有機半導体装置用の電極作製を可能にすることを課題とする。【解決手段】 有機半導体層を形成する工程と、該有機半導体層上の一部に、電子供与性分子と電子受容性分子をそれぞれ別々に有機溶媒に溶解させて得られた二種類のインクを、各インクヘッドから同時又は交互に吐出させることにより反応させて、導電性の電荷移動錯体電極を形成する工程とを含む有機半導体装置の製造方法である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

有機半導体層を形成する工程と、該有機半導体層上の一部に、電子供与性分子と電子受容性分子をそれぞれ別々に有機溶媒に溶解させて得られた二種類のインクを、各インクヘッドから同時又は交互に吐出させることにより反応させて、導電性の電荷移動錯体電極を形成する工程とを含む有機半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ,  H01L 51/40 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288

FI (8件)：

H01L29/78 616V ,  H01L29/28 370 ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 220B ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616K ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/288 Z

Fターム (13件)：

4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  5F110AA03 ,  5F110BB01 ,  5F110GG05 ,  5F110HK01 ,  5F110HK32

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 有機半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-228575   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 有機半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-049759   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

審査官引用 (4件)

• 電荷移動錯体薄膜、及び、電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-355819   出願人：ソニー株式会社
• 有機半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-228575   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• 回路の製造方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2004-506090   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 有機FETおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-261032   出願人：松下電器産業株式会社