特許
J-GLOBAL ID：201103096770904677
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 一
, 布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-218890
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043563
特許番号：特許第3651369号
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 以下の工程(a)〜(f)を含む半導体装置の製造方法。 (a)半導体基板上の所定の位置にトレンチ分離溝を形成した後、該トレンチ分離溝に第1絶縁層を埋め込む工程、 (b)前記第1絶縁層および前記半導体基板の一部を除去して、所定の位置に溝を形成する工程、 (c)前記溝の側面に、前記第1絶縁層とは異なる材料からなる第2絶縁層を用いてサイドウォール絶縁層を形成する工程、 (d)前記溝の底面にゲート絶縁層を形成する工程、 (e)導電性材料を用いて前記溝を埋め込んだ後、少なくとも前記半導体基板の表面が露出するまで前記第1絶縁層をエッチバックして、ゲート電極を形成するとともに、前記半導体基板の所定の位置に、埋め込み形状を有する素子分離領域を形成する工程、 (f)前記半導体基板に不純物を導入することにより、前記ゲート電極を挟んで対向する第1および第2不純物拡散層を前記半導体基板に形成する工程。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28
, H01L 29/423
, H01L 29/49
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/28 301 S
, H01L 29/58 G
, H01L 29/78 301 V
, H01L 29/78 301 R
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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