特許
J-GLOBAL ID：201103096906038839
レーザ穴あけ加工装置用のデスミア方法及びデスミア装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
池田 憲保
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-078017
公開番号（公開出願番号）：特開2000-271774
特許番号：特許第4163320号
出願日： 1999年03月23日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
請求項（抜粋）：
【請求項1】穴あけ加工用のレーザ光を、ワークにおける金属膜上に形成された樹脂層に照射することにより形成されたバイアホールに残留する残査成分を除去するためのデスミア方法において、
あらかじめ定められた波長ωを持つレーザ光を発生するレーザ発振器からのレーザ光から、前記波長ωの第1の成分と第2高調波2ωの第2の成分とを生成し、
前記生成された波長ωの第1の成分と第2高調波2ωの第2の成分とを光学経路において分離し、
分離された前記第2高調波2ωの第2の成分から該第2高調波2ωの第3の成分と第3高調波3ωの第4の成分とを生成し、
分離された前記波長ωの第1の成分から前記波長ωの第5の成分と前記第2高調波2ωの第6の成分とを生成し、
前記生成された波長ωの第5の成分と前記第2高調波2ωの第6の成分とを光学経路において分離し、
分離された前記第2高調波2ωの第6の成分から該第2高調波2ωの第7の成分と前記第3高調波3ωの第8の成分とを生成し、
分離された前記波長ωの第5の成分から前記波長ωの第9の成分と前記第2高調波2ωの第10の成分とを生成し、
前記生成された波長ωの第9の成分と前記第2高調波2ωの第10の成分とを光学経路において分離し、
分離された前記第2高調波2ωの第10の成分から該第2高調波2ωの第11の成分と前記第3高調波3ωの第12の成分とを生成し、
生成された第2高調波2ωの前記第3の成分、前記第7の成分、前記第11の成分と生成された第3高調波3ωの前記第4の成分、前記第8の成分、前記第12の成分とを含むレーザ光を前記バイアホールに照射することによりデスミアを行うことを特徴とするレーザ穴あけ加工装置用のデスミア方法。
IPC (4件)：
B23K 26/067 ( 200 6.01)
, B23K 26/38 ( 200 6.01)
, H05K 3/00 ( 200 6.01)
, H05K 3/46 ( 200 6.01)
B23K 26/067
, B23K 26/38 330
, H05K 3/00 N
, H05K 3/46 X
