特許
J-GLOBAL ID：201103098136411601

ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積

発明者：
アンソニー・ディップ

アンソニー・ディップ について

, 
スンホ・オー

スンホ・オー について

, 
アレン・ジョン・レイス

アレン・ジョン・レイス について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (18件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-284653
公開番号（公開出願番号）：特開2011-082557
出願日： 2010年12月21日
公開日（公表日）： 2011年04月21日
要約：
【課題】ヘキサクロロシランからのシリコン含有膜の堆積を提供する。【解決手段】処理システムの低圧堆積プロセスによってシリコン含有膜と基板を堆積するための方法を提供する。シリコン含有膜は、処理システムの処理チャンバーに基板を供給し、基板を加熱し、基板にヘキサクロロシラン(HCD)処理ガスを露出することによって、基板上に形成できる。この方法は、基板のシリコン表面上にエピタキシャルシリコン含有膜を選択的に堆積するか、基板上にシリコン含有膜を非選択的に堆積するかすることができる。HCD処理ガスを使用してシリコン含有膜を基板上に形成するための処理システムを含んでいる処理装置が提供される。【選択図】図1A
請求項（抜粋）：
基板を処理システムの処理チャンバーに供給することと、 基板を加熱することと、 基板にHCD処理ガスを露出することと、 基板上にシリコン含有膜を堆積することとを有している、シリコン含有膜を基板上に堆積する方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/42
FI (3件)：
H01L21/205 ,  C23C16/24 ,  C23C16/42
Fターム (40件)：
4K030AA03 ,  4K030AA05 ,  4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BA48 ,  4K030BB02 ,  4K030BB03 ,  4K030BB05 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB02 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC13 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AE19 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB07 ,  5F045DB02 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045HA03 ,  5F045HA23
引用特許：
審査官引用 (8件)
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