薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：机昌彦 , 谷澤靖久 , 河合信明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-302225
公開番号（公開出願番号）：特開2001-127295
特許番号：特許第3636949号
出願日： 1999年10月25日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に絶縁膜を成膜する第1の工程と、この成膜された絶縁膜上に非晶質シリコン薄膜を成膜する第2の工程と、この成膜された非晶質シリコン薄膜にレーザ光を照射して結晶化し多結晶シリコン薄膜を形成する第3の工程とを有し、これにより形成された多結晶シリコン薄膜を薄膜トランジスタの活性層とすると共に予め別に設定されたゲートに対応して当該活性層にドレーン及びソースを設ける第4の工程を備えた薄膜トランジスタの製造方法において、前記絶縁膜がSiON膜からなる絶縁膜であり、前記第1の工程における絶縁膜の成膜に際しては、前記基板上の前記活性層を遮光する位置に予め金属膜を成膜し、前記レーザ光の熱の金属膜への伝導を遮断するために前記絶縁膜の厚さが1.1μmとなるように成膜し、前記第3の工程におけるレーザ光の照射に際しては、使用するレーザをXeClエキシマレーザとし、520〔mJ/cm2〕の照射強度で照射することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 , H01L 21/20 , H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 626 C , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-294607 出願人：シャープ株式会社
薄膜半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-054195 出願人：ソニー株式会社
半導体装置及び表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-205073 出願人：三洋電機株式会社

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