半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：天野広
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-006074
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208530
特許番号：特許第3269549号
出願日： 1999年01月13日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】化合物半導体のヘテロ接合を用いたバイポーラトランジスタであって、円形のエミッタ電極と、前記エミッタ電極の周囲において、前記エミッタ電極よりも下層に形成された環状のベース電極と、前記ベース電極の周囲において、前記ベース電極よりも下層に形成されたコレクタ電極と、からなり、前記エミッタ電極の下方にはバイアホールが形成されており、前記エミッタ電極は前記バイアホールを介して接地されるものであることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：