半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバーの圧力の測定方法と半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバーの圧力とエッチング効率との両者の同期測定方法;; 半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバーの圧力の測定方法と半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバーの圧力とエッチング効率との両者の同期測定方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三枝英二 (外5名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167957
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133640
特許番号：特許第3131689号
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバーの圧力の測定方法であって、プラズマエッチングチャンバーに、F,CF2,COなどから選んだプラズマ分子を有するプラズマを供給するステップと、少なくとも一種のプラズマ分子の、当該分子と所定の関係を持つ2つまたは2つ以上の種類の所定の波長での発光強度を測定するステップと、測定し得た発光強度を当該エッチングチャンバーの圧力に転換するステップとを有し、前記2つまたは2つ以上の種類の所定の波長での発光強度と、エッチングチャンバーにおける圧力とを測定する方法は、所定の波長の発光強度比率に基づいて行われると共に、前記2つまたは2つ以上の種類の所定の波長は同一のプラズマ分子に属されることを特徴とした半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバーの圧力の測定方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 , G01L 21/34 , H01L 21/66

FI (3件)：

H01L 21/302 E , G01L 21/34 , H01L 21/66 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開昭62-019729
気体の圧力測定装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-193792 出願人：三菱重工業株式会社
エッチング終点検出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-052991 出願人：東京エレクトロン株式会社

全件表示

前のページに戻る