特許
J-GLOBAL ID：200903090026961453
位相シフト・マスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-075527
公開番号（公開出願番号）：特開2002-318449
出願日： 2002年03月19日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：
【要約】【課題】 半導体基板のリソグラフィ処理に使用される改善された位相シフト・マスクを提供すること。【解決手段】 この位相シフト・マスクは、使用されるエネルギー・ビームに対しほぼ透明なマスク基板と、マスク上に付着されマスク基板を露出させる開口をその中に有するパターン化された位相シフト層とを備える。パターン化された位相シフト層は、位相シフト層およびマスク基板の厚さを通過するエネルギー・ビームの位相を、位相シフト層の開口およびマスク基板を通過するエネルギー・ビームの位相に比べて180°シフトさせるのに十分な厚さをもち、マスク基板とは異なる組成の材料からなる。好ましくは位相シフト材料は酸窒化シリコンであり、基板は石英である。マスクはまた、マスク基板または位相シフト層上に配設されエネルギー・ビームに対しほぼ不透明な材料のパターン化された層も含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板のリソグラフィ処理に使用される位相シフト・マスクであって、リソグラフィ処理に使用されるエネルギー・ビームに対し実質的に透明なマスク基板と、前記マスク基板上に配設されたパターン化された位相シフト層であって、前記マスク基板を露出させる開口をその中に有し、該パターン化された位相シフト層および前記マスク基板を通過するエネルギー・ビームの位相を、前記位相シフト層の開口および前記マスク基板を通過するエネルギー・ビームの位相に比べて180°シフトさせるのに十分な厚さをもち、前記マスク基板とは異なる組成の材料からなる、パターン化された位相シフト層と、前記マスク基板または前記パターン化された位相シフト・マスク層上に配設されエネルギー・ビームに対し実質的に不透明な材料のパターン化された層とを備えるマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
2H095BB03
, 2H095BB31
, 2H095BC04
, 2H095BC24
, 2H095BC27
