特許
J-GLOBAL ID：201103099380103400
半導体加速度センサおよびその製造方法
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： 西川 惠清 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084698
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277753
特許番号：特許第3533984号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 厚肉状の重り部、この重り部の周囲に離間して設けられる周辺肉厚部、およびこの周辺肉厚部と前記重り部との間に懸架されてこの重り部を支持する薄肉状の撓み部が形成された半導体基板と、前記半導体基板の撓み部に形成されたゲージ抵抗と、前記半導体基板の一の面上に形成された電気信号取出し用の電極と、前記半導体基板の他の面上に接合された凹状の第1キャップと、前記半導体基板の一の面上に接合された凹状の第2キャップとにより成る半導体加速度センサを製造する方法において、前記半導体基板がSOI基板であり、TMAHによる異方性エッチングに対するエッチング速度の遅い所定膜が前記半導体基板の一の面上に形成され、前記所定膜の面上に前記電極が形成される半導体加速度センサに対しては、前記重り部と前記周辺肉厚部との離間部分における前記所定膜の除去を行い、この除去の後に前記半導体基板における前記離間部分に対してTMAHによる異方性エッチングを行い、この異方性エッチングの後に前記第2キャップの前記半導体基板への接合を行い、この接合の後に前記離間部分における前記SOI基板の残部である酸化膜をエッチングにより除去することで、前記重り部と前記周辺肉厚部とを離間させる除去処理を行い、この除去処理の後に前記第1キャップの前記半導体基板への接合を行う半導体加速度センサの製造方法であって、前記第2キャップが、3辺の全部または一部で前記半導体基板の一の面上に接合することを特徴とする半導体加速度センサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
出願人引用 (4件)
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半導体センサの製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平9-001548 出願人：トヨタ自動車株式会社 -
半導体加速度センサ及び半導体加速度センサの製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平6-240319 出願人：セイコー電子工業株式会社 -
半導体加速度センサ
公報種別：公開公報 出願番号：特願平6-152293 出願人：セイコー電子工業株式会社
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