特許
J-GLOBAL ID：201103099964281912

半導体装置用パッケージ

発明者：
飯島 隆廣

飯島 隆廣 について

, 
六川 昭雄

六川 昭雄 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (2件)： 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-015995
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216289
特許番号：特許第3577421号
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】コア基板の両面に、コア基板を貫通する導体部を介して電気的に接続する配線パターンが形成され、該コア基板の一方の面の配線パターン上に、複数層の配線パターンが絶縁層を介して形成され、前記コア基板の一方の面側の各配線パターンが、前記各絶縁層を貫通して設けられたビア穴の内壁面に形成されたビアめっき皮膜を介して電気的に接続されて、該コア基板の一方の面側の最外層の配線パターンが、搭載される半導体チップの端子と電気的に接続される配線パターンに形成され、前記コア基板の他方の面の配線パターン上に複数層の絶縁層が形成され、該コア基板の他方の面側の最外層の絶縁層上に外部接続用端子を形成する配線パターンが形成され、前記コア基板の他方の面の配線パターンと前記外部接続用端子を形成する配線パターンとが、前記コア基板の他方の面側の複数層の絶縁層を貫通して設けられたビア穴の内壁面に形成されたビアめっき皮膜を介して電気的に接続されている半導体装置用パッケージであって、前記コア基板の他方の面の配線パターン上に形成された複数層の絶縁層のうちの最内層または中間層上に、電源プレーンもしくはグランドプレーンが形成され、 前記コア基板の他方の面側に設けられたビア穴は、前記電源プレーンもしくはグランドプレーンが形成される絶縁層から内側が、外側よりも小径に形成されることで、ビア穴の中途部に段差部が形成され、該段差部に露出した前記電源プレーンもしくはグランドプレーンに前記ビアめっき皮膜が形成されて電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置用パッケージ。
IPC (1件)：
H01L 23/12
FI (2件)：
H01L 23/12 N ,  H01L 23/12 501 B
引用特許：
審査官引用 (4件)
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