文献
J-GLOBAL ID:201202164373918806   整理番号:12A1375274

(411)A InP基板上にMBE成長したSi変調ドープIn0.7Ga0.3As/InxAl1-xAs歪量子井戸(5)~InAlAs障壁層のIn組成依存性~

著者 (6件):
資料名:
巻: 47th  号:ページ: 1321  発行年: 2000年03月28日 
JST資料番号: Y0054A  資料種別: 会議録 (C)
発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)

前のページに戻る