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J-GLOBAL ID：201202202963403843   整理番号：12A1584206

シリサイドとシリコンとの間の界面の接触比抵抗測定の正確な方法とその応用

Accurate Method of Measuring Specific Contact Resistivity of Interface between Silicide and Silicon and Its Application

著者 (6件)： OHUCHI Kazuya (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  LAVOIE Christian (IBM Res. Div., NY, USA) ,  YANG Bin (T. J. Watson Res. Center, NY, USA) ,  KONDO Masaki (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  MATSUZAWA Kazuya (Toshiba Corp., Yokohama, JPN) ,  SOLOMON Paul M. (IBM Res. Div., NY, USA)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 10,Issue 1  ページ： 101302.1-101302.9  発行年： 2012年10月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 接触比抵抗の低減は,デバイスの最小図形寸法の微細化のための重要な項目の一つである。この論文は低シート抵抗の基板上に作製し,小面積で測るべき界面抵抗を持つわれわれの簡単な4端子プローブテスト構造を用いて接触比抵抗を測定する正確な方法について議論する。われわれはまた,これを,ドーパント依存性を持ついくつかのシステム,すなわち,NiPtSi/SI,NiPtSi/SiGe,およびPtシリサイドシステム,あるいはまた,シリサイドとコンタクトプラグ金属との間の金属-金属システムを直接接触比抵抗率測定へ応用することを示す。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ケイ化物 ,  *界面 ,  *接触抵抗 ,  シート抵抗 ,  ドーパント ,  ニッケル化合物 ,  白金化合物 ,  ゲルマニウム ,  固溶体 ,  *計測
準シソーラス用語： 接触比抵抗 ,  低シート抵抗

分類 (1件)： R,L,C,Q,インピーダンス,誘電率の計測法・機器  (AD07030N)

引用文献 (26件)：

• 1) K. Ohuchi, N. Kusunoki, and F. Matsuoka: Jpn. J. Appl. Phys. 50 (2011) 04DA03.
• 2) H.-W. Chen, C.-H. Ko, T.-J. Wang, C.-H. Ge, K. Wu, and W.-C. Lee: Abstr. Symp. VLSI Technology, 2007, p. 118.
• 3) K. K. Ng and W. T. Lynch: IEEE Trans. Electron Devices 34 (1987) 503.
• 4) A. Hokazono, K. Ohuchi, K. Miyano, I. Mizushima, Y. Tsunashima, and Y. Toyoshima: IEDM Tech. Dig., 2000, p. 243.
• 5) S.-D. Kim, C.-M. Park, and J. C. S. Woo: IEEE Trans. Electron Devices 49 (2002) 467.

タイトルに関連する用語 (5件)： シリサイド ,  シリコン ,  界面 ,  抵抗測定 ,  応用