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J-GLOBAL ID：201202203273494214   整理番号：12A1756781

溶液成長による4H-SiC中の貫通螺旋転位の高効率変換

High-Efficiency Conversion of Threading Screw Dislocations in 4H-SiC by Solution Growth

著者 (6件)： YAMAMOTO Yuji (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HARADA Shunta (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  SEKI Kazuaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  HORIO Atsushi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MITSUHASHI Takato (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  UJIHARA Toru (Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名： Applied Physics Express  (Applied Physics Express)
巻： 5  号： 11  ページ： 115501.1-115501.3  発行年： 2012年11月25日 
JST資料番号： F0599C  ISSN： 1882-0778  CODEN： APEPC4  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 溶液成長による4H-SiC中の貫通螺旋転位(TSD)の高効率変換は超高品質のSiC結晶の効率的方法を提供する。軸上及び軸外4H-SiC{0001}種結晶上のTSDの挙動をシンクロトロンX線トポグラフィーにより調べた。軸外Si面種結晶のほぼ全てのTSDが基底面上でFrank型積層欠陥へ変わった。TSDの変換比は種結晶の表面極性により高度に影響された。積層欠陥は結晶の外側に向けて横方向に伝搬した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *螺旋転位 ,  *貫通転位 ,  トポグラフィー【形態】 ,  種結晶 ,  半導体材料
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  *貫通螺旋転位

分類 (1件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

引用文献 (24件)：

• BERECHMAN, R. A. J. Appl. Phys. 2010, 107, 114504
• SKOWRONSKI, M. J. Appl. Phys. 2006, 99, 011101
• HA, S. J. Cryst. Growth. 2002, 244, 257
• OHNO, T. J. Cryst. Growth. 2004, 260, 209
• NEUDECK, P. G. IEEE Trans. Electron Devices. 1999, 46, 478

タイトルに関連する用語 (4件)： 溶液成長 ,  4H-SiC ,  螺旋転位 ,  高効率