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J-GLOBAL ID：201202205133185168   整理番号：12A0960521

EUVリソグラフィーにおける三次元マスク効果による正確なフレアモデリングのための最適化マルチグリッド戦略

Optimized Multigrid Strategy for Accurate Flare Modeling with Three-Dimensional Mask Effect in Extreme-Ultraviolet Lithography

著者 (6件)： LEE Junhwan (Pohang Univ. Sci. and Technol., Gyeongbuk, KOR) ,  LEE Sangheon (Pohang Univ. Sci. and Technol., Gyeongbuk, KOR) ,  KIM Changreol (Hynix Semiconductor Inc., Cheongju, KOR) ,  KIM Yongdae (Hynix Semiconductor Inc., Cheongju, KOR) ,  KIM Sangpyo (Hynix Semiconductor Inc., Cheongju, KOR) ,  KIM Ohyun (Pohang Univ. Sci. and Technol., Gyeongbuk, KOR)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 51  号： 6,Issue 2  ページ： 06FB06.1-06FB06.10  発行年： 2012年06月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： EUVリソグラフィーは半導体工業におけるその実施において多くの重大な挑戦を有している。主な挑戦の一つはフレア(ウェハレベルでの不要な全統合光散乱)であり,臨界寸法と結像性能を低下させる。従って,EUVフレアは徹底的に研究され,長年の間ルールに基づく方法によって補償されている。しかし,22nm以下ハーフピッチ(HP)テクノロジーノードを越える基準を満たすことを可能にするより正確で,実現可能なフレアモデリング法の開発についての結果がほとんどない。本研究では,完全フィールドスケールでフレアマップを生成するための正確なフレア分布と最適化マルチグリッド戦略を得るために,三次元EUVマスクトポグラフィーと散乱EUV光の相互作用を考慮した改良フレアモデリング法を研究した。また,(十分な精度を達成するために新奇有効反射係数を用いて開発した)基礎モデルに基づいたフレアモデリング法を提案した。そのような手法は,来たる高度HPテクノロジーノードまたは各種吸収体と照明角度に備えて従来のパターン密度手法の代わりに必要であると考えられる。最後に,マスクデフォーカス誤差を補償するためのフレアマップシフトの必要性を導入して,露光量監視法で用いるマスクパターンのいくつかのフレア評価を実行した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  三次元 ,  *光反射 ,  モデリング ,  最適化 ,  *多重格子法 ,  半導体工業 ,  ウエハ【IC】 ,  光散乱 ,  結像 ,  地図 ,  分布 ,  トポグラフィー【形態】 ,  散乱光 ,  精度 ,  反射率 ,  吸収体 ,  角度 ,  密度 ,  焦点合せ ,  補償
準シソーラス用語： EUVマスク ,  *EUVリソグラフィー ,  デフォーカス ,  *フレア ,  マスクパターン ,  マスク効果 ,  *マルチグリッド法 ,  臨界寸法 ,  露光量

分類 (3件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光の屈折,反射,分散,偏向,吸収,透過  (BD03020B) ,  数値解析,近似法  (AB04000F)

引用文献 (33件)：

• 1) R. Jonckheere, G. F. Lorusso, A. M. Goethals, J. Hermans, B. Baudemprez, A. Myers, I. Kim, A. Niroomand, F. Iwamoto, N. Stepanenko, and K. Ronse: Proc. SPIE 6607 (2007) 66070H.
• 2) N. Harned, M. Goethals, R. Groeneveld, P. Kucrz, M. Lowisch, H. Meijer, H. Meiling, K. Ronse, J. Ryan, M. Tittnich, H. J. Voorma, J. Zimmerman, U. Mickan, and S. Lok: Proc. SPIE 6517 (2007) 651706.
• 3) P. Yan: Proc. SPIE 4688 (2002) 150.
• 4) H. Aoyama, N. Iriki, and T. Tanaka: J. Vac. Sci. Technol. B 26 (2008) 80.
• 5) J. P. Kirk: Proc. SPIE 2197 (1994) 566.

タイトルに関連する用語 (7件)： EUVリソグラフィー ,  マスク効果 ,  フレア ,  モデリング ,  最適化 ,  マルチグリッド ,  戦略