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J-GLOBAL ID：201202206419393007   整理番号：12A1710139

H₂-O₂触媒反応生成高エネルギーH₂Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析

Electronic properties of ZnO thin films grown on a-plane sapphire substrates using high-energy H₂O generated by a catalytic reaction-Analysis using a two layer model-

著者 (6件)： 永冨瑛智 (長岡技科大) ,  山口直也 (長岡技科大) ,  竹内智彦 (長岡技科大) ,  里本宗一 (長岡技科大) ,  加藤孝弘 (長岡技科大) ,  安井寛治 (長岡技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 265(CPM2012 93-111)  ページ： 1-5  発行年： 2012年10月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH₂Oを生成,アルキル亜鉛ガスと気相中で反応させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給,サファイアA面基板上にZnO結晶膜を成長させた。様々な厚さのZnO膜を成長させそれらの電気伝導特性を調べたところ,約2800nmまで膜厚の増加に伴い移動度は大きくなり500nm以下とそれ以上の膜厚で大きく電気伝導特性が異なり基板-膜界面に高密度の欠陥を有する縮退層の存在が窺われた。またSIMS測定から水素とボロンがそれぞれ10¹⁸cm^-3and10¹⁷cm^-3のオーダーで検出され,これら2つの不純物元素が外因性ドナーであると考えられた。ZnO膜を100nm程度の縮退層とその上の半導体層に分けた二層モデルを用いまた2ドナーモデルを用いてキャリア密度の温度特性を解析した。(著者抄録)

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  *透明導電膜 ,  薄膜成長 ,  *導電性 ,  ナノ粒子 ,  触媒反応 ,  化学蒸着 ,  Hall移動度 ,  電子密度 ,  温度依存性
準シソーラス用語： CVD法 ,  UV-LED ,  *酸化亜鉛薄膜 ,  白金ナノ粒子 ,  膜厚依存性

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

引用文献 (11件)：

• Meyer, B. K. Bound exiton and don or-acceptor pair recombination in ZnO. phy. stat. sol. (b). 2004, 241, 231-260
• Minami, T. Transparent conducting oxide semiconductors for transparent electrodes. Semicond. Sci. Technol. 2005, 20, S35-S44
• Tsukazaki, A. Repeated temperature modulation epitaxy for p-type doping and light-emitting diode based on ZnO,. Nature Materials,. 2005, 4, 42-46
• Cooray, N. F. Large area ZnO films optimized for graded band-gap Cu(InGa)Se2 - based thin-film mini modules. Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 1997, 49, 291-297
• Kaidashev, E. M. High electron mobility of epitaxial ZnO thin films on c-plane sapphire grown by multistep pulsed-laser deposition. Appl. Phys. L e t t. 2003, 82, 3901-3903

タイトルに関連する用語 (10件)： H2 ,  O2 ,  触媒反応 ,  エネルギー ,  H2O ,  サファイア基板 ,  堆積 ,  ZnO薄膜 ,  電気伝導特性 ,  解析