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J-GLOBAL ID：201202216995440881   整理番号：12A1006053

ClF₃気体により生成されるC面4H-SiC表面上のエッチピットの密度および挙動

Density and Behavior of Etch Pits on C-face 4H-SiC Surface Produced by ClF₃ Gas

著者 (4件)： HABUKA Hitoshi (Yokohama National Univ., JPN) ,  FURUKAWA Kazuchika (Yokohama National Univ., JPN) ,  KANAI Toshimitsu (Yokohama National Univ., JPN) ,  KATO Tomohisa (National Inst. Advanced Sci. and Technol., JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 379-382  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (5件)： 気体 ,  4H-SiC ,  エッチピット ,  密度 ,  挙動